Компания Samsung снова попала на штраф за нарушение чужих патентов. На этот раз патент, касающийся технологии FinFET, принадлежит филиалу патентного бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US) в Далласе.
На днях техасский окружной суд признал Samsung Electronics виновной в нарушении патента, и в результате южнокорейскому производителю придется оплатить штраф в размере $400 млн. Забавно то, что изначально технология FinFET не входила в сферу интересов Самсунг, однако, после того, как FinFET-транзисторами заинтересовалась компания Intel, корейцы тоже обратили на них внимание.
Конечно, как это обычно бывает в судебных разбирательствах, компания Samsung не считает себя виновной в нарушении патента и намерена обжаловать решение, подав апелляционную жалобу.
Читайте также
Последние новости