Samsung представила чипы DRAM памяти емкостью 12 Гб

Компания Samsung начала массовое производство микросхем DRAM памяти для мобильных устройств. Модуль имеет емкость 12 Гб и отличается пониженным энергопотреблением. Обладая большей емкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM памяти позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.

Исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Севун Чунь (Sewon Chun) отмечает: "С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировала комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти емкостью 12ГБ и заканчивая 512ГБ накопителями eUFS 3.0. Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстро растущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов".
Модули емкостью 12 Гб были получены благодаря объединению шести 16-гигабитных чипов LPDDR4X второго поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением емкости DRAM.